SK Hynix se préparerait à une avancée technologique majeure avec sa technologie DRAM 1c, qui propulsera ses puces mémoire DDR5 et HBM vers de nouveaux sommets de performance et consolidera la position de leader de l'entreprise sur ce segment. Selon ZDNet Korea, l'entreprise a pris au sérieux les récentes avancées de Samsung dans le domaine de la DRAM 1c et sera probablement la première à déployer cette technologie sur six couches EUV, établissant ainsi une nouvelle norme sur le marché. Cela améliorera non seulement les solutions grand public et HBM de SK Hynix, mais accélérera également la transition vers la prochaine génération de DRAM, qui utilisera probablement des méthodes EUV à haute ouverture numérique. À titre de référence, la lithographie EUV (ultraviolet extrême) utilise une longueur d'onde de 13,5 nm et est utilisée pour former les zones les plus complexes des puces, permettant des structures plus fines avec moins de processus en plusieurs étapes. Auparavant, les couches EUV et DUV étaient combinées dans la production de DRAM, mais SK Hynix prévoit désormais de passer entièrement à six couches EUV dans la DRAM 1c, ce qui devrait accroître le rendement des puces performantes, leurs performances et leur rentabilité. Jusqu'à présent, la DRAM 1c n'est pas utilisée dans les solutions grand public, mais l'entreprise étudie des options, notamment le lancement de modules DDR5 de capacité accrue. Parallèlement, le pari sur l'EUV est un investissement à long terme : pour les futures générations de mémoire, SK Hynix prévoit de faire de l'EUV un élément clé de ses technologies et, à l'avenir, d'intégrer l'EUV High-NA, un projet déjà en cours de développement.