Samsung a annoncé le début de la production de masse des premières unités de mémoire UFS 3.1 512 Go , destinées à être intégrées dans les smartphones haut de gamme. Si la vitesse de lecture séquentielle est restée presque inchangée par rapport aux mémoires UFS 3.0 - avec les données déjà vertigineuses de 2,1 Go par seconde - c'est la vitesse d'écriture séquentielle qui a subi la plus forte augmentation, même trois fois plus élevée que la norme précédent. En fait, on parle de la vitesse maximale impressionnante de 1,2 Go par seconde.

Un tel résultat permettra aux futurs smartphones haut de gamme d'offrir des performances toujours plus élevées , tant en ce qui concerne l'administration ordinaire ( jusqu'à 60% de vitesse en plus ), et notamment dans le domaine multimédia . Grâce à une telle vitesse d'écriture, les mémoires UFS 3.1 ne perdront pas de photos même lors de l' enregistrement vidéo en 8K ou de la prise de vue à des résolutions de plus en plus élevées, ce qui permet un énorme flux de données, à sauvegarder instantanément. Les mémoires UFS 3.1 de 512 Go seront le fleuron d'une gamme qui comprendra également des coupes de 256 et 128 Go . Pour le moment, Samsung ne s'est pas risqué à dévoiler une date de disponibilité, mais nous devrions les voir intégrés dans les premiers modèles de smartphones déjà cette année , puis s'affirmer enfin en 2021.