Intel et SoftBank travaillent sur une nouvelle technologie de mémoire qui pourrait constituer une alternative sérieuse aux modules HBM largement utilisés dans les accélérateurs d'intelligence artificielle. Ce projet est développé par sa filiale Saimemory, et les premiers détails de cette solution devraient être dévoilés lors de la conférence VLSI 2026 en juin. La nouvelle mémoire, baptisée HB3DM, repose sur la technologie Z-Angle Memory. Concrètement, cela consiste à empiler verticalement des puces mémoire en trois dimensions, à l'instar des mémoires HBM classiques. Intel entend toutefois tirer parti des procédés de fabrication modernes pour améliorer significativement les performances. La première génération de HB3DM sera composée de neuf couches. La couche de base comprendra une couche logique chargée de la gestion des transferts de données, surmontée de huit couches DRAM dédiées au stockage des données. Les composants seront interconnectés par liaison hybride, chaque couche recevant environ 13 700 interconnexions TSV. D'après l'annonce, une seule couche offrira une capacité d'environ 1,125 Go, soit 10 Go par module. Cependant, l'aspect le plus impressionnant réside dans le débit. Les estimations tablent sur un débit pouvant atteindre 5,3 To/s pour une seule pile de mémoire. À titre de comparaison, la future HBM4 devrait offrir environ 2 To/s par pile, soit moins de la moitié de la capacité de la HB3DM. Cette nouvelle technologie pourrait s'avérer particulièrement intéressante pour les applications d'IA, où un accès rapide aux données est crucial.

La capacité reste un point faible. La mémoire HBM4 peut atteindre 48 Go par couche, tandis que la HB3DM commence à 10 Go. Cependant, il est possible que les générations suivantes proposent un nombre de couches plus élevé et améliorent considérablement ce paramètre. On ignore pour l'instant quand Saimemory lancera la production de la mémoire HB3DM ni qui sera responsable de la fabrication des puces DRAM. Cependant, l'implication d'Intel a alimenté les spéculations quant à un possible retour de l'entreprise sur le marché de la DRAM dans ses propres usines. De plus amples informations devraient être dévoilées lors du salon VLSI 2026.