Les fabricants de mémoire pour smartphones recherchent activement des solutions pour créer des puces plus rapides et plus économes en énergie afin de gérer la charge de travail accrue de l'IA et de réduire les problèmes de surchauffe et de ralentissement. SK Hynix, qui a surpassé Samsung en matière de technologie mémoire, a annoncé aujourd'hui le lancement de nouvelles DRAM mobiles utilisant un matériau unique dans l'industrie, le composé de moulage, qui devrait résoudre le problème de surchauffe. Selon l'entreprise, la conductivité thermique des nouvelles puces a augmenté de 350 %. De plus, SK Hynix affirme que la résistance thermique verticale a été améliorée de 47 %. Ceci est particulièrement important pour les smartphones, où la DRAM est souvent située directement au-dessus du cristal du processeur mobile.



Cette configuration permet de gagner de la place et d'accélérer les échanges de données, mais, sous des charges intensives, elle entraîne une surchauffe et une baisse des performances. Le nouveau matériau permet d'éviter ces problèmes. L'entreprise affirme que les smartphones équipés de puces mises à jour fonctionneront plus rapidement et bénéficieront d'une autonomie plus longue. Lee Kyu-jae, responsable du département de développement des technologies d'emballage, a qualifié l'utilisation du composé de moulage époxy High-K de « progrès significatif » qui non seulement améliore les performances, mais résout également des inconvénients majeurs pour les utilisateurs de smartphones haut de gamme. Selon le Korea Herald, les ingénieurs de SK Hynix ont réalisé une avancée majeure en ajoutant de l'oxyde d'aluminium au dioxyde de silicium dans le composé époxy, ce qui a considérablement amélioré la dissipation thermique.